[发明专利]3D存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201911028755.1 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110808254B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 彭爽爽;刘力恒;杨川;严龙翔 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/20 | 分类号： | H10B41/20;H10B41/27;H10B43/20;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;王月玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该方法包括在半导体衬底上形成栅叠层结构，包括交替堆叠的多个栅极导体、多个层间绝缘层以及位于层间绝缘层表面上的第一阻挡层；形成贯穿栅叠层结构以到达半导体衬底的多个栅线缝隙；沿栅线缝隙在第一阻挡层的表面上形成第二阻挡层以及绝缘层；在栅线缝隙中形成与半导体衬底接触的导电通道，绝缘层将导电通道和栅极导体隔开，第一阻挡层和第二阻挡层的材料包括高介电的金属化合物。在层间绝缘层与绝缘层之间形成第一阻挡层以及第二阻挡层，避免了因靠近导电通道处的顶部层间绝缘层的形态被破坏造成3D存储器件的良率和可靠性下降的情况发生。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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