[发明专利]一种太阳能电池制备方法在审
| 申请号： | 201911031271.2 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110690326A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 许佳平;朱惠君;张昕宇;金浩;陈康平;余云洋;姜传伟 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/028;H01L31/0224;H01L21/268;H01L21/20 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王云晓 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池制备方法，在通过激光照射发射结表面的预设区域，以形成选择性发射结之后，会刻蚀选择性发射结背向衬底层一侧表面预设深度，以使暴露出的预设区域的掺杂浓度大于选择性发射结表面中非预设区域的掺杂浓度。通过刻蚀选择性发射结背向衬底层一侧表面预设深度，可以去除选择性发射结表面因激光照射而减少载流子浓度的区域，从而可以实现选择性发射结表面激光照射区域与非激光照射区域表面浓度的独立调节，进一步提升太阳能电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性发射结 预设区域 发射结 刻蚀选择性 激光照射 衬底层 预设 掺杂 载流子 太阳能电池制备 激光照射区域 太阳能电池 表面激光 独立调节 照射区域 转换效率 与非 去除 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：/n在衬底层的预设表面加入掺杂离子以形成发射结；/n通过激光照射所述发射结表面的预设区域，以形成选择性发射结；/n刻蚀所述选择性发射结背向所述衬底层一侧表面预设深度，以使暴露出的所述预设区域的掺杂浓度大于所述选择性发射结表面中非预设区域的掺杂浓度；/n设置覆盖所述预设区域的第一电极，以及与所述衬底层电连接的第二电极，以制成所述太阳能电池。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
