[发明专利]一种后掺杂式N型接触钝化电池

摘要

本发明公开了一种后掺杂式N型接触钝化电池，包括N型硅片、正面结构以及背面结构，背面结构包括隧穿层、n+多晶硅层、背面钝化层以及背面金属电极，隧穿层、n+多晶硅层以及背面钝化层沿渐远N型硅片的方向依次设置，N型接触钝化电池还包括本征多晶硅层和n++重掺杂区域，本征多晶硅层设于n+多晶硅层与背面钝化层之间，n++重掺杂区域贯穿本征多晶硅层，n++重掺杂区域的内端与n+多晶硅层接触，背面金属电极贯穿背面钝化层，背面金属电极的内端与n++重掺杂区域的外端接触。本发明既可以减少背面的自由载流子吸收，提升双面电池的双面率，又消除金属化区域的金属复合，进一步提升N型接触钝化电池转化效率。