[发明专利]一种高压DMOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201911037547.8 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN110690271A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 李冰 | 申请（专利权）人： | 浙江艾水科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 316000 浙江省舟山市定海区舟*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压DMOS器件及其制作方法，包括p型半导体衬底，所述p型半导体衬底的正面设有n‑高阻漂移层，所述p型半导体衬底的背面设有氧化铍隔离层，所述n‑高阻漂移层的两侧设有n型外延层，所述n型外延层的高度小于n‑高阻漂移层的高度，所述n型外延层和n‑高阻漂移层之间构成P型掺杂陷阱，所述p型掺杂陷阱内设有注入沟道层，所述注入沟道层包括设置在p型掺杂陷阱内的第一扩散层，所述第一扩散层的上方设有第二扩散层，所述p型掺杂陷阱内嵌设有源极，所述n‑高阻漂移层的顶部接有漏极。本发明具有较强的耐压性。 | ||
| 搜索关键词： | 漂移层 高阻 扩散层 陷阱 衬底 沟道层 高压DMOS器件 隔离层 耐压性 氧化铍 漏极 内嵌 源极 背面 制作 | ||
【主权项】：
1.一种高压DMOS器件，其特征在于：包括p型半导体衬底(1)，所述p型半导体衬底(1)的正面设有n-高阻漂移层(2)，所述p型半导体衬底(1)的背面设有氧化铍隔离层(12)，所述n-高阻漂移层(2)的两侧设有n型外延层(3)，所述n型外延层(3)的高度小于n-高阻漂移层(2)的高度，所述n型外延层(3)和n-高阻漂移层(2)之间构成P型掺杂陷阱(4)，所述p型掺杂陷阱(4)内设有注入沟道层(5)，所述注入沟道层(5)包括设置在p型掺杂陷阱(4)内的第一扩散层(6)，所述第一扩散层(6)的上方设有第二扩散层(7)，所述p型掺杂陷阱(4)内嵌设有源极(8)，所述n-高阻漂移层(2)的顶部接有漏极(9)。/n
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