[发明专利]一种双沟道立体TFT器件、显示面板及其制造方法有效
| 申请号： | 201911037714.9 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN110783204B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 易志根;潘明超;殷大山 | 申请（专利权）人： | 南京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/44;H01L21/84;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静 |
| 地址： | 210033 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双沟道立体TFT器件、显示面板及其制造方法，所述双沟道立体TFT器件的制造方法，包括如下步骤：S1：在基板上沉积第一金属层并形成图形化的数据线；S2：在步骤S1的基础上首先沉积覆盖数据线的缓冲层，然后沉积位于缓冲层上的第二金属层；S3：在步骤S2的基础上对第二金属层和缓冲层进行曝光、刻蚀和剥离，第二金属层形成与数据线具有夹角的漏极，缓冲层被刻蚀掉包裹数据线的部分且缓冲层两端被刻蚀后形成斜面；S4：在步骤S3的基础上形成由金属氧化物形成的图案化的半导体层；S5：在步骤S4的基础上先沉积栅极绝缘层，然后再形成图案化的扫描线。本发明能显著提高TFT器件的宽长比，从而提高显示器件的开口率,同时工艺较为简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 立体 tft 器件 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双沟道立体TFT器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1：在基板上沉积第一金属层并形成图形化的数据线；/nS2：在步骤S1的基础上首先沉积覆盖数据线的缓冲层，然后沉积位于缓冲层上的第二金属层；/nS3：在步骤S2的基础上对第二金属层和缓冲层进行曝光、刻蚀和剥离，第二金属层形成与数据线具有夹角的漏极，缓冲层被刻蚀掉包裹数据线的部分且缓冲层两端被刻蚀后形成斜面；/nS4：在步骤S3的基础上形成有金属氧化物形成的图案化的半导体层；/nS5：在步骤S4的基础上先沉积栅极绝缘层，然后再形成图案化的扫描线。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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