[发明专利]发光装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201911038952.1 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN111192899B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 刘智维 | 申请（专利权）人： | 台州观宇科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京威禾知识产权代理有限公司 11838 | 代理人： | 沈超 |
| 地址： | 318015 浙江省台州市集聚区三*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一发光装置包括一电路层级，其包括一平坦化层；以及一发光像素，其位于所述平坦化层上，且包括一发光材料，其中所述发光材料包括一次层其具有一厚度。所述平坦化层包括一区域，其与所述发光像素的有效发光区域实质上垂直排列，而所述区域包括一局部平整度(local flatness，LF)，且所述局部平整度与所述厚度间的比例不大于一预定值。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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