[发明专利]晶圆背封结构、晶圆背封结构的制造方法在审
| 申请号： | 201911042547.7 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110767742A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 张召;张继亮;金新 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种晶圆背封结构及其制造方法，涉及半导体制造领域。该晶圆背封结构，包括重掺杂衬底、第一氧化膜层、多晶硅膜层、第二氧化膜层；所述第一氧化膜层位于所述重掺杂衬底的下方；所述多晶硅膜层位于所述第一氧化膜层的下方；所述第二氧化膜层位于所述多晶硅膜层的下方；解决了酸洗工艺中现有的晶圆背封结构中LTO层容易被去除，导致重掺杂离子析出的问题；达到了防止酸洗工艺后晶圆背封结构被破坏而析出杂质，避免出现交叉污染影响器件性能的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化膜层 背封 多晶硅膜层 重掺杂 晶圆 析出 酸洗工艺 衬底 半导体制造领域 影响器件性能 交叉污染 种晶 去除 离子 申请 制造 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆背封结构，其特征在于，包括重掺杂衬底、第一氧化膜层、多晶硅膜层、第二氧化膜层；/n所述第一氧化膜层位于所述重掺杂衬底的下方；/n所述多晶硅膜层位于所述第一氧化膜层的下方；/n所述第二氧化膜层位于所述多晶硅膜层的下方。/n
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