[发明专利]晶圆背封结构、晶圆背封结构的制造方法在审
申请号: | 201911042547.7 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN110767742A | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 张召;张继亮;金新 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L21/02 |
代理公司: | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人: | 罗雅文 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请公开了一种晶圆背封结构及其制造方法,涉及半导体制造领域。该晶圆背封结构,包括重掺杂衬底、第一氧化膜层、多晶硅膜层、第二氧化膜层;所述第一氧化膜层位于所述重掺杂衬底的下方;所述多晶硅膜层位于所述第一氧化膜层的下方;所述第二氧化膜层位于所述多晶硅膜层的下方;解决了酸洗工艺中现有的晶圆背封结构中LTO层容易被去除,导致重掺杂离子析出的问题;达到了防止酸洗工艺后晶圆背封结构被破坏而析出杂质,避免出现交叉污染影响器件性能的效果。 | ||
搜索关键词: | 氧化膜层 背封 多晶硅膜层 重掺杂 晶圆 析出 酸洗工艺 衬底 半导体制造领域 影响器件性能 交叉污染 种晶 去除 离子 申请 制造 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆背封结构,其特征在于,包括重掺杂衬底、第一氧化膜层、多晶硅膜层、第二氧化膜层;/n所述第一氧化膜层位于所述重掺杂衬底的下方;/n所述多晶硅膜层位于所述第一氧化膜层的下方;/n所述第二氧化膜层位于所述多晶硅膜层的下方。/n
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