[发明专利]高密度基板和具有高密度基板的堆叠式硅封装组件在审
申请号: | 201911044554.0 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN111199938A | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | J·S·甘地 | 申请(专利权)人: | 赛灵思公司 |
主分类号: | H01L23/492 | 分类号: | H01L23/492;H01L23/498;H01L23/31;H01L25/07;H01L21/56 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 傅远 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开的实施例涉及高密度基板和具有高密度基板的堆叠式硅封装组件。提供了具有一种用于芯片封装组件的高密度布线的改进的互连基板、具有高密度基板的芯片封装组件及其制造方法,其利用具有被设置在低密度布线区域上的高密度布线区域的基板。在一个示例中,提供了一种用于制造互连基板的方法,该方法包括:通过在低密度布线区域的顶面上沉积种子层来形成高密度布线区域,在种子层上图案化掩模层,在种子层上形成多个导电柱,去除暴露在导电柱之间的掩模层和种子层,并且在导电柱之间沉积电介质层,其中至少一些导电柱被电耦合到包括低密度布线区域的导电布线。 | ||
搜索关键词: | 高密度 具有 堆叠 封装 组件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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