[发明专利]半导体制造设备在审
| 申请号： | 201911045780.0 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111128795A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 杨建勋;林立德;林斌彦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体制造设备，包括一来源腔室以及一加工腔室。来源腔室可操作以产生数个荷电粒子；加工腔室与来源腔室结合，且配置以从来源腔室接收荷电粒子。加工腔室包括一晶圆台以及一激光荷电粒子交互作用模块。晶圆台可操作以固定及移动晶圆；激光荷电粒子交互作用模块还包括一激光源、一光束分离器以及一反射镜。激光源产生第一激光光束；光束分离器配置以分离第一激光光束成第二激光光束及第三激光光束；反射镜配置以反射第三激光光束，使得第三激光光束被重新导向以与第二激光光束相交，以在荷电粒子的路径形成激光干涉图样，且激光干涉图样在微区域模式中调制荷电粒子，以使用被调制的荷电粒子加工晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
