[发明专利]硅晶绝缘体结构、半导体结构以及形成半导体结构的方法有效
| 申请号： | 201911046622.7 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111128852B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 陈冠荣;李宗霖;林俊铭;江文智;王证鈜 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/082 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 傅磊;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的一些实施例提供沟槽隔离的结构以及方法。在一些实施例中，公开一种硅晶绝缘体结构。硅晶绝缘体结构包括一基板、一介电层以及一多晶硅区域。基板包括一处理层、一绝缘层、一埋入层以及一沟槽。绝缘层是布设在处理层之上。埋入层是布设在绝缘层之上。沟槽是从埋入层的一上表面向下延伸，并在处理层中终止。介电层是位于沟槽的一底表面上，并接触处理层。多晶硅区域是位于沟槽中，并接触介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 结构 半导体 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
