[发明专利]阵列基板的制备方法及阵列基板在审
| 申请号： | 201911048962.3 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN110854069A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 罗传宝;田代 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/3213;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 李新干 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种阵列基板的制备方法及阵列基板，该制备方法包括依次在基板上形成第一金属结构层、绝缘层、半导体层和第二金属结构层，第二金属结构层包括依次形成的第一金属薄膜层和第二金属薄膜层，采用电解质溶液对第二金属结构层进行刻蚀，以形成图案化的第二金属结构层，图案化的第二金属结构层包括源极和漏极；本申请通过将第一金属薄膜层、第二金属薄膜层和电解质溶液形成原电池，并以第二金属薄膜层为阳极，抑制了第一金属薄膜层的腐蚀速率，满足了窄沟道薄膜晶体管的应用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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