[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201911053827.8 | 申请日: | 2019-10-31 |
公开(公告)号: | CN110767539B | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 宋威;赵策;王明;丁远奎;刘宁;刘军;李伟;王庆贺 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L27/32 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,涉及显示技术领域,解决同时刻蚀平坦层形成暴露输出电极的过孔和暴露补偿阴极图形的过孔时,输出电极容易被过刻蚀,导致后续与阳极搭接不良的问题。该制作方法包括:对光刻胶层曝光,形成的光刻胶半保留区域在基底上的正投影位于输出电极在基底上的正投影内部,光刻胶完全去除区域在基底上的正投影位于补偿阴极图形在基底上的正投影内部;对位于光刻胶半保留区域的光刻胶,与光刻胶半保留区域对应的平坦层,以及与光刻胶完全去除区域对应的平坦层刻蚀,同时形成将输出电极背向基底的表面暴露的第一过孔和将补偿阴极图形背向基底的表面暴露的第二过孔。本发明提供的制作方法用于制作显示基板。 | ||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种显示基板的制作方法,其特征在于,包括:/n在基底上制作薄膜晶体管阵列层,所述薄膜晶体管阵列层包括用于输出驱动信号的第一晶体管,以及补偿阴极图形;/n在所述薄膜晶体管背向所述基底的一侧依次形成层叠设置的平坦层和光刻胶层;/n通过半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光,形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域,所述光刻胶半保留区域在所述基底上的正投影位于所述第一晶体管的输出电极在所述基底上的正投影的内部,所述光刻胶完全去除区域在所述基底上的正投影位于所述补偿阴极图形在所述基底上的正投影内部,所述光刻胶完全保留区域对应所述光刻胶层中,除所述光刻胶半保留区域和所述光刻胶完全去除区域之外的其它区域;/n同时对位于所述光刻胶半保留区域的第一部分光刻胶,与所述光刻胶半保留区域对应的第一部分平坦层,以及与所述光刻胶完全去除区域对应的第二部分平坦层进行刻蚀,在相同的刻蚀时间内,形成能够将所述输出电极背向所述基底的表面至少部分暴露的第一过孔,以及能够将所述补偿阴极图形背向所述基底的表面至少部分暴露的第二过孔。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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