[发明专利]修复芯片的fuse电路的方法在审

申请号：	201911058430.8	申请日：	2019-10-30
公开（公告）号：	CN110648964A	公开（公告）日：	2020-01-03
发明（设计）人：	徐晓俊	申请（专利权）人：	华虹半导体(无锡)有限公司
主分类号：	H01L21/768	分类号：	H01L21/768;H01L23/525
代理公司：	31211 上海浦一知识产权代理有限公司	代理人：	罗雅文
地址：	214028 江***	国省代码：	江苏;32
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本申请公开了一种修复芯片的fuse电路的方法，涉及半导体制造领域，该方法包括：根据芯片对应的版图设计信息，获取芯片上的fuse电路位置；对fuse电路位置对应的芯片侧表面进行抛光；确定抛光后的芯片侧表面上fuse线的两个断点位置；对两个断点位置进行选择性刻蚀；在抛光后的芯片侧表面淀积金属Pt，金属Pt连接fuse线的两个断点；解决了现有的fues电路修复方法容易损坏芯片的其他电路功能，修复率低的问题；达到了减小开窗面积、不破坏fuse线上层的电路结构，提高修复率的效果。
搜索关键词：	芯片侧表面抛光芯片电路位置断点位置修复半导体制造领域选择性刻蚀版图设计电路功能电路结构电路修复淀积金属断点减小开窗电路上层金属申请
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【主权项】：

1.一种修复芯片的fuse电路的方法，其特征在于，所述方法包括：/n根据芯片对应的版图设计信息，获取芯片上的fuse电路位置；/n对所述fuse电路位置对应的芯片侧表面进行抛光；/n确定抛光后的芯片侧表面上fuse线的两个断点位置；/n对所述两个断点位置进行选择性刻蚀；/n在所述抛光后的芯片侧表面淀积金属Pt，所述金属Pt连接所述fuse线的两个断点。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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