[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法在审
| 申请号： | 201911058656.8 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN111146061A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 永海幸一;永关一也;桧森慎司 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/248 | 分类号： | H01J37/248;H01J37/305 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。在一个例示的实施方式的等离子体处理装置中，基片支承台设置于腔室内。基片支承台的下部电极与电源单元连接。在腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中，电源单元将第一直流电压施加到下部电极。第一直流电压为正极性的直流电压。电源单元为了对载置于基片支承台上的基片进行蚀刻，在腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中，将第二直流电压施加到下部电极。第二直流电压为负极性的直流电压。电源单元输出的直流电压从第一直流电压被连续地切换为第二直流电压。本发明能够使基片的正电荷量减少并且使蚀刻速率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
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