[发明专利]集成电路结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201911058980.X | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN111211089B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 高琬贻;柯忠祁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 董越 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及集成电路结构及其制造方法。一种集成电路结构包括：体半导体区域；第一半导体条带，在体半导体区域上方并连接到体半导体区域；以及电介质层，其中包括氧化硅。在氧化硅中掺杂碳原子。电介质层包括：水平部分，在体半导体区域的顶表面上方并与体半导体区域的顶表面接触；以及垂直部分，连接到水平部分的一端。垂直部分与第一半导体条带的下部的侧壁接触。第一半导体条带的顶部突出高于垂直部分的顶表面以形成半导体鳍。水平部分和垂直部分具有相同的厚度。栅极堆叠在半导体鳍的侧壁和顶表面上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
