[发明专利]一种减少摄像模组点子缺陷的CVD制备方法及其产物在审
| 申请号： | 201911060084.7 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN110885969A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 葛文志;王刚;翁钦盛;矢岛大和;江骏楠 | 申请（专利权）人： | 杭州美迪凯光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/02;C23C16/30 |
| 代理公司： | 杭州华知专利事务所(普通合伙) 33235 | 代理人： | 杨秀芳 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市经*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种减少摄像模组点子缺陷的CVD制备方法及其产物，通过可以一次性实现光学元件多层高、低折射率膜层的交替沉积，反应物料以气相形式在反应腔反应沉积到衬底基板上，不存在蒸发或者溅射过程，消除了点子缺陷的来源，因此不会形成大颗粒的点子缺陷，从而大大提高了摄像模组的成像品质，使得CVD在摄像模组的加工过程得到了具有实际性操作意义的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 摄像 模组 点子 缺陷 cvd 制备 方法 及其 产物 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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