[发明专利]一种静电保护器件在审
| 申请号： | 201911060817.7 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN110620141A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 张泽飞;郭朝亮 | 申请（专利权）人： | 上海类比半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 31266 上海一平知识产权代理有限公司 | 代理人： | 成春荣;竺云 |
| 地址： | 200135 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种静电保护器件，包括：P型衬底及N型掺杂埋层；相邻的第一N型阱区、第一P型阱区、第二N型阱区、第二P型阱区及第三N型阱区；位于第一N型阱区中的第一N型重掺杂区；位于第一P型阱区中的第一P型重掺杂区和第二N型重掺杂区；位于第二N型阱区中的第二P型重掺杂区、第三N型重掺杂区和第三P型重掺杂区；位于第二P型阱区中的第四N型重掺杂区和第四P型重掺杂区；位于第三N型阱区中的第五N型重掺杂区；位于P型衬底表面的第五P型重掺杂区和第六P型重掺杂区；第一、第三、第五N型重掺杂区、第二、第三P型重掺杂区相连为阳极；第一、第四、第五、第六P型重掺杂区、第二、第四N型重掺杂区相连为阴极。 | ||
| 搜索关键词： | 阴极 静电保护器件 阳极 衬底表面 衬底 埋层 申请 | ||
【主权项】：
1.一种静电保护器件，包括：/nP型衬底；/n位于所述P型衬底上的N型掺杂埋层；/n位于所述N型掺杂埋层上方的相邻的第一N型阱区、第一P型阱区、第二N型阱区、第二P型阱区及第三N型阱区；/n位于所述第一N型阱区中的第一N型重掺杂区；/n位于所述第一P型阱区中的第一P型重掺杂区和第二N型重掺杂区；/n位于所述第二N型阱区中的第二P型重掺杂区、第三N型重掺杂区和第三P型重掺杂区；/n位于所述第二P型阱区中的第四N型重掺杂区和第四P型重掺杂区；/n位于所述第三N型阱区中的第五N型重掺杂区；以及/n位于所述P型衬底表面两侧的第五P型重掺杂区和第六P型重掺杂区；/n其中所述第一N型重掺杂区、所述第二P型重掺杂区、所述第三N型重掺杂区、所述第三P型重掺杂区及所述第五N型重掺杂区相连为阳极；所述第一P型重掺杂区、所述第二N型重掺杂区、所述第四N型重掺杂区、所述第四P型重掺杂区、所述第五P型重掺杂区及所述第六P型重掺杂区相连为阴极。/n
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