[发明专利]写入辅助电路和将位线电压负升压的方法有效

专利信息
申请号: 201911062996.8 申请日: 2019-10-31
公开(公告)号: CN111128282B 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 谢维哲;郑基廷;林洋绪;吴尚锜 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/12;G11C16/24
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 提供了写入辅助电路。写入辅助电路包括:晶体管开关,耦合在单元阵列的位线电压节点和接地节点之间。反相器用于响应于写入使能信号而接收升压信号。反相器的输出耦合至晶体管开关的栅极。写入辅助电路还包括金属电容器,金属电容器具有耦合至位线电压节点的第一端和耦合至栅极节点的第二端。电容器用于响应于升压信号将位线电压节点的位线电压从接地电压驱动至负值。本发明的实施例还涉及将位线电压负升压的方法。
搜索关键词: 写入 辅助 电路 将位线 电压 升压 方法
【主权项】:
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