[发明专利]半导体测试结构、制备方法及半导体测试方法有效
| 申请号： | 201911065483.2 | 申请日： | 2019-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN111063624B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 肖亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体测试结构、制备方法及半导体测试方法，制备方法包括：提供测试衬底，形成测试器件层，形成有第一互连接触部、第二互连接触部及至少一层金属层，形成接触孔及测试孔，于接触孔的内壁表面形成贯穿接触部，于测试孔中形成绝缘测试部，本发明的半导体测试结构及方法，基于绝缘测试部将测试衬底隔离，通过第一互连接触部、金属层、第二互连接触部将测试衬底电性引出，实现了隔离结构的测试，基于本发明的方案设计，可以在早期进行隔离结构的测试，如在WAT阶段进行测试，进一步，基于本发明的方案还可以进行接触柱之间电性测试，可以基于方案设计进行VBD测试，即同时具有VBD测试功能和隔离结构(如TSI)的测试功能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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