[发明专利]中介层及包括中介层的半导体封装在审
申请号: | 201911067933.1 | 申请日: | 2019-11-04 |
公开(公告)号: | CN111755410A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 朴有庆;柳承官;尹玟升;崔允硕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/48;H01L25/18 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 李鑫 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种中介层以及半导体封装。中介层包括:基础基底;互连结构,位于基础基底的顶表面上且包括金属互连图案;上钝化层,位于互连结构上且具有压缩应力;下钝化层,位于基础基底的底表面下面,所述下钝化层具有比上钝化层的压缩应力小的压缩应力;下导电层,位于下钝化层下面;以及贯穿电极,穿透基础基底及下钝化层。所述贯穿电极将下导电层电连接到互连结构的金属互连图案。 | ||
搜索关键词: | 中介 包括 半导体 封装 | ||
【主权项】:
暂无信息
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