[发明专利]发光二极管有效
申请号: | 201911071816.2 | 申请日: | 2015-08-28 |
公开(公告)号: | CN110854251B | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 蔡钟炫;俆大雄;金彰渊;孙成寿 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/62;H01L33/38 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 姜长星;李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种发光二极管,其包括:基底;发光结构,位于基底上,并包括第一导电型半导体层及台面,台面在第一导电型半导体层下部彼此相隔地布置且分别包括有源层及第二导电型半导体层;反射电极层,位于台面上,并与第二导电型半导体层欧姆接触,第一绝缘层,覆盖台面及第二导电型半导体层,并包括位于台面上的区域内并使反射电极层的一部分暴露的第一开放区域;电极层,位于基底和发光结构之间;基底包括:至少两个体电极,与发光结构电连接;模具,布置于体电极之间而围绕体电极,体电极在彼此相向的面分别包括互相咬合的凹部及凸部,凸部包括宽度沿着突出方向变化的区间。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
【主权项】:
暂无信息
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