[发明专利]磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构在审
| 申请号： | 201911073017.9 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112768333A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 林志隆;蔡兆哲;陈俊龙 | 申请（专利权）人： | 聚昌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张琳 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构，其包括：第一等离子体反应腔体，具有第一反应腔室；第一线圈模块，环绕设置于第一反应腔室的外围；以及第一磁力线遮蔽模块，环绕设置于第一线圈模块的外围。借由本发明的实施，可以阻挡及/或反射第一线圈模块的磁力线及/或电磁波向外扩散且控制磁力线的形状，以有效创造更多制造过程参数，以便更精密的生产各类产品。 | ||
| 搜索关键词： | 磁力线 遮蔽 控制 反应 磁场 蚀刻 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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