[发明专利]SiC外延晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201911073469.7 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN111180319B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 西原祯孝 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L29/16;H01L29/36;C30B23/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及SiC外延晶片的制造方法。提供一种在正向上流动了电流时不易产生堆垛层错的SiC外延晶片的制造方法。本实施方式涉及的SiC外延晶片的制造方法包括：测定基底面位错密度的测定工序、决定外延层的层构成的层构成决定工序以及生长外延层的外延生长工序，(i)在所述层构成决定工序中，在所述基底面位错密度小于预定值的情况下，所述外延层从所述SiC基板侧起包括转换层和漂移层，(ii)在所述基底面位错密度为预定值以上的情况下，所述外延层从所述SiC基板侧起包括转换层、复合层以及漂移层。 | ||
| 搜索关键词： | sic 外延 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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