[发明专利]一种薄膜型熔断器及制造方法有效
| 申请号： | 201911074381.7 | 申请日： | 2019-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN110828243B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 杨漫雪;邓琪 | 申请（专利权）人： | 南京隆特电子有限公司;南京萨特科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01H69/02 | 分类号： | H01H69/02;H01H85/041;H01H85/046 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张弛 |
| 地址： | 210049 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜型熔断器，包括基体、熔断体、电极；所述熔断体为金属片形并贴合在基体上，熔断体即便较为微型，基体也能够作为熔断体的支撑，使熔断体的形状加工易控制，可以精确控制熔体厚度和图形，从而实现更小电流规格的熔断器的制造。且制造该熔断器的制造方法简单可行，通过简单薄膜工艺即可完成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 熔断器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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