[发明专利]非易失性存储器装置和非易失性存储器系统在审

专利信息
申请号: 201911075604.1 申请日: 2019-11-06
公开(公告)号: CN111145814A 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 李瑟妃;郭东勋;朴钟哲 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C16/08 分类号: G11C16/08;G11C16/24;G11C16/34
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;张青
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种非易失性存储器装置和非易失性存储器系统。所述非易失性存储器装置包括:字线;位线;存储器单元阵列,其包括位于所述字线和所述位线之间的交叉区域处的第一存储器单元;字线电压产生电路,其被配置为产生编程电压,所述编程电压被提供给所述字线;行解码器电路,其被配置为从所述字线电压产生电路接收所述编程电压,并被配置为向所述字线提供所述编程电压;验证电路,其被配置为响应于验证对所述第一存储器单元的编程的成功或失败而产生验证信号;以及控制电路,其被配置为响应于所述验证信号将所述编程电压施加到所述第一存储器单元,并且被配置为响应于所述验证信号中断所述编程电压。
搜索关键词: 非易失性存储器 装置 系统
【主权项】:
暂无信息
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