[发明专利]三维存储器及其制作方法在审
| 申请号： | 201911076166.0 | 申请日： | 2019-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN110797346A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 赵治国;霍宗亮;李春龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张静 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维存储器及其制作方法，所述制作方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底形成有堆叠结构；在所述堆叠结构上形成沟道孔，所述沟道孔露出所述半导体衬底；在所述沟道孔内形成沟道孔结构，所述沟道孔结构具有第一沟道层；去除所述第一沟道层，形成间隙；在所述间隙内形成第二沟道层，所述第二沟道层的电子迁移率大于所述第一沟道层的电子迁移率。可见，应用本发明提供的技术方案，可以提高三维存储器中沟道层的电子迁移率，获得更加良好的电学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道层 沟道 电子迁移率 衬底 半导体 三维存储器 堆叠结构 孔结构 电学特性 去除 制作 应用 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：/n提供一半导体衬底，所述半导体衬底形成有堆叠结构；/n在所述堆叠结构上形成沟道孔，所述沟道孔露出所述半导体衬底；/n在所述沟道孔内形成沟道孔结构，所述沟道孔结构具有第一沟道层；/n去除所述第一沟道层，形成间隙；/n在所述间隙内形成第二沟道层，所述第二沟道层的电子迁移率大于所述第一沟道层的电子迁移率。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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