[发明专利]气相生长装置有效
申请号: | 201911079497.X | 申请日: | 2019-11-07 |
公开(公告)号: | CN111172517B | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 伊藤英树 | 申请(专利权)人: | 纽富来科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52;H01L21/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 牛玉婷 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 气相生长装置具备:n个反应室,n为2以上的整数;主气体供给通路,对n个反应室供给第一气体与第二气体的混合气体;n条副气体供给通路,从主气体供给通路分支,与反应室分别连接,包括1条第一副气体供给通路和(n-1)条第二副气体供给通路;第一压力计,测定主气体供给通路中的压力;1个第一流量控制器,设置于第一副气体供给通路;(n-1)个第二流量控制器,分别设置于第二副气体供给通路;第一控制电路,基于第一压力计的测定结果,对第一流量控制器指示第一流量值;以及第二控制电路,计算由第一流量控制器测定的流量值与由第二流量控制器测定的流量值的总和的n分之一即第二流量值,对第二流量控制器分别指示第二流量值。 | ||
搜索关键词: | 相生 装置 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的