[发明专利]一种电磁变距式元件转移方法在审
| 申请号： | 201911092097.2 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN110867400A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 杨运军 | 申请（专利权）人： | 兰泽（荆门）智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 448000 湖北省荆门市东宝区月*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及转移装置技术领域，具体涉及一种电磁变距式元件转移方法，元件晶片和目标基板分别通过第一静电吸附板21和第二静电吸附板22固定在横向移料机构的左右两个工位上，横向移料机构带动承托板2可在横向上作高速高精度移动；采用直线电机驱动移料，移动精度高，响应速度快；变距和抓料均采用电磁驱动，响应速度快，便于控制；由于电磁变距抓料机构的每个变距节点都可单独控制，使得电磁变距抓料机构可以通过编程控制实现非等距放置，包括行程各种特定图案，大大拓展了其应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电磁 变距式 元件 转移 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
