[发明专利]一种芯片结构、晶圆结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201911095178.8 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN110739396B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 盛备备;胡胜;李漾 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘晓菲 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种芯片结构、晶圆结构及其制造方法，在第一芯片上形成第一金属键和层和第二金属键和层，在第二芯片上形成第三金属键和层和第四金属键和层，两个芯片通过金属键合层键合在一起，两片芯片键合时，第一芯片的第一金属键和层和第二芯片的第四金属键和层键合构成第一电容极板，第一芯片的第二金属键和层和第二芯片的第三金属键和层键合构成第二电容极板，第一电容极板、第二电容极板以及器件的介质材料构成电容结构，占用较小的芯片面积，有效利用芯片的面积，提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片结构，其特征在于，包括：/n第一芯片，所述第一芯片包括第一衬底、第一衬底正面上介质材料的第一覆盖层、形成于所述第一覆盖层中的第一极板连接层以及形成于所述第一覆盖层之上的第一介质键合层，所述第一介质键合层中形成有相对设置的第一金属键合层和第二金属键合层，所述第一金属键合层贯通至所述第一极板连接层，所述第二金属键合层设置于第一介质键合层的第一凹槽中；/n第二芯片，所述第二芯片包括第二衬底、第二衬底正面上介质材料的第二覆盖层、形成于所述第二覆盖层中的第二极板连接层以及形成于所述第二覆盖层之上的第二介质键合层，所述第二介质键合层中形成有相对设置的第三金属键合层和第四金属键合层，所述第三金属键合层贯通至所述第二极板连接层，所述第四金属键合层设置于第二介质键合层的第二凹槽中；/n其中，所述第一芯片和第二芯片正面键合，所述第一金属键合层与所述第四金属键合层键合且构成第一电容极板，所述第二金属键合层与所述第三金属键合层键合且构成第二电容极板。/n
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