[发明专利]掩模板及掩模板的制造方法在审
申请号: | 201911111123.1 | 申请日: | 2019-11-14 |
公开(公告)号: | CN111308854A | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 孙朝宁 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/50 | 分类号: | G03F1/50 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例公开了一种掩模板及掩模板的制造方法,该掩模板包括透光区,至少部分透光区内设有透光层,该透光层内设有金属有机框架聚合物。其中,金属有机框架聚合物的金属离子和有机桥配体之间存在电荷转移,通过调控金属元素和有机配体种类能够优化材料发光性能。因此,通过在透光区的一部分区域内设置金属有机框架聚合物,并调节透光区不同位置的有机框架聚合物中的金属离子及有机配体的种类,以精确控制不同区域的透过光单一波长和强度,提高掩模板的各透光区的曝光精度。 | ||
搜索关键词: | 模板 制造 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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