[发明专利]一种高压MOSFET开关驱动及保护电路

摘要

一种高压MOSFET开关驱动及保护电路，包括浮地电压源、内部低压源、电荷泵、逻辑控制、过流检测、过温检测以及栅极驱动部分；输入高压电源通过稳压或降压电路获得浮地电源和内部低压源；浮地电源驱动电荷泵电路获得高于输入电源的MOSFET栅极驱动电压；采用栅极逻辑运算单元连接栅极驱动，该栅极逻辑运算单元中输入端为内部低压源与外部TTL输入信号：内部低电压源用于比较外部TTL输入信号以及过流、过温的逻辑控制信号；当外部TTL输入信号为高电平时，栅极逻辑运算单元关断MOSFET，卸载负载电压源。当外部TTL输入信号为低电平时，开启MOSFET，高电压源加载至负载。实现的保护功能：当过流或过温工作时，关断MOSFET，保护驱动电路及负载。

主权项

1.一种高压MOSFET开关驱动及保护电路，其特征是，包括浮地电压源、内部低压源、电荷泵、逻辑控制、过流检测、过温检测以及MOSFET栅极驱动部分；输入高压电源通过稳压或降压电路获得浮地电源和内部低压源；浮地电源驱动电荷泵电路获得高于输入电源的MOSFET栅极驱动电压；采用栅极逻辑运算单元连接MOSFET栅极驱动，该栅极逻辑运算单元中输入端为内部低压源与外部TTL输入信号：内部低电压源用于比较外部TTL输入信号以及过流、过温的逻辑控制信号：当外部TTL输入信号为低电平时，栅极逻辑运算单元开启MOSFET，将输入高电压源加载至负载；当外部TTL输入信号为高电平时，栅极逻辑运算单元关断MOSFET，卸载负载电压源。/n