[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 201911112966.3 | 申请日： | 2019-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN111223760A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 陆昕;Z·宝维斯;E·艾森伯格 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供晶片的加工方法，在对在外周具有倒角部的晶片进行加工的情况下，不增加将晶片外周部去除的工序而能够防止晶片的破损。该晶片的加工方法是在外周具有倒角部(Wd)的晶片(W)的加工方法，其中，该晶片的加工方法包含如下的步骤：在距离晶片外周缘为规定距离的内侧的位置沿着外周缘照射对于晶片(W)具有透过性的波长的激光束，形成从晶片正面(Wa)达到完工厚度(L1)的深度的环状改质区域(M)；对晶片外周部照射对于晶片(W)具有透过性的波长的激光束，在晶片外周部呈放射状形成多个从晶片正面(Wa)达到完工厚度(L1)的深度的改质区域(N)；对晶片背面(Wb)进行磨削，使晶片薄化至完工厚度(L1)。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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