[发明专利]离子注入方法和设备有效
| 申请号： | 201911116803.2 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN111326407B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 崔钟武;金成基 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01J37/317 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 彭辉剑;龚慧惠 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种离子注入方法和设备。所述方法包括：将衬底放置在卡盘上；分析所衬底板以确定衬底的旋转位移；将离子注入到所述衬底中；以及当所述旋转位移基本为零时，将所述衬底旋转X次，并且每次以N度角旋转衬底；当旋转位移大于零时，将衬底旋转Y次并每次以M度角旋转衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 方法 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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