[发明专利]有源矩阵基板以及具备其的X射线拍摄面板有效
| 申请号： | 201911116965.6 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN111211178B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 美崎克纪 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/115;H01L31/18;H01L27/146 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 郝家欢 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 有源矩阵基板(1)在基板(101)上具备第一电极(14a)、光电转换元件(15)、以及第二电极(14b)。第一电极(14a)、光电转换元件(15)、以及第二电极(14b)被在第二电极上具有第一开口(105a)的第一无机绝缘膜(105)覆盖。在第一无机绝缘膜(105)上设置有具有第二开口(106a)的第一有机绝缘膜(106)，第二开口(106a)的内侧的第一有机绝缘膜(106a)的表面被具有俯视观察时与第一开口(105a)重叠的第三开口(117a)的第二无机绝缘膜(117)覆盖。在第二无机绝缘膜(117)上设置有在第一开口(105a)中与第二电极(14b)接触的导电膜(17)。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 矩阵 以及 具备 射线 拍摄 面板 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
