[发明专利]芯片转移方法及装置有效
申请号: | 201911118002.X | 申请日: | 2019-11-15 |
公开(公告)号: | CN110797295B | 公开(公告)日: | 2022-09-16 |
发明(设计)人: | 郭婵;龚政;潘章旭;刘久澄;龚岩芬;王建太;庞超 | 申请(专利权)人: | 广东省半导体产业技术研究院 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/48 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 张磊 |
地址: | 510000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请一种芯片转移方法及装置。提供一包括第一透明基板层以及掺杂有热发泡剂的第一光敏胶层的第一转移基板。将第一转移基板设置有第一光敏胶层的一面靠近设置有芯片阵列的衬底与芯片阵列贴合。通过预设波长的光线对第一光敏胶层进行照射,使得第一光敏胶层从芯片阵列粘取待转移芯片。将待转移芯片转移至目标转移位置,通过预设精度的热源对第一光敏胶层的预设位置进行照射,使得所述预设位置的热发泡剂的体积发生膨胀的同时,所述预设位置的粘性减小,所述预设位置的待转移芯片易于从所述第一光敏胶层脱落。如此,提高了对芯片进行选择性转移过程的精度,同时减少了转移材料的残留。 | ||
搜索关键词: | 芯片 转移 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种芯片转移方法,其特征在于,所述芯片转移方法包括:/n提供一第一转移基板,所述第一转移基板包括第一透明基板层以及第一光敏胶层,所述第一光敏胶层中掺杂有热发泡剂;/n将所述第一转移基板设置有第一光敏胶层的一面靠近设置有芯片阵列的衬底,使得所述第一光敏胶层与所述芯片阵列贴合;/n通过预设波长的光线对所述第一光敏胶层进行照射,使得所述第一光敏胶层从所述芯片阵列粘取待转移芯片;/n将所述待转移芯片转移至目标转移位置,通过预设精度的热源对所述第一光敏胶层的预设位置进行照射;使得所述预设位置的热发泡剂的体积发生膨胀,同时所述预设位置的粘性减小,所述预设位置的待转移芯片易于从所述第一光敏胶层脱落。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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