[发明专利]半导体结构平坦化方法有效
| 申请号： | 201911118490.4 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN112820641B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 章杏;吴双双 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构平坦化方法，包括：提供半导体结构，半导体结构包括介质层，介质层的上表面具有凸起结构；采用沉积工艺于凸起结构的侧壁及介质层的上表面形成阻挡层；去除部分凸起结构；对介质层进行平坦化处理。本发明能够通过沉积工艺在凸起结构的侧壁以及介质层上表面形成阻挡层，因此不需要进行光刻制程即可对凸起结构进行定义，继而针对凸起结构进行刻蚀，在降低凸起结构的高度后再对介质层进行平坦化处理，能够在降低制作成本的同时不影响半导体结构平坦化的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 平坦 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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