[发明专利]具抹除抑制能力的多次编程存储单元及其存储单元阵列有效
| 申请号： | 201911120673.X | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN111326192B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 陈志欣 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/24;H01L27/11519;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 李芳华 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种多次编程存储单元，包括一浮动栅晶体管、一第一电容器、一第二电容器与一第三电容器。浮动栅晶体管具有一浮动栅极。浮动栅晶体管的一第一端耦接至一源极线。浮动栅晶体管的一第二端耦接至一位线。第一电容器的一第一端连接至浮动栅极。第一电容器的一第二端连接至一抹除线。第二电容器的一第一端连接至浮动栅极。第二电容器的一第二端连接至一控制线。第三电容器的一第一端连接至浮动栅极。第三电容器的一第二端连接至一抑制线。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 能力 多次 编程 存储 单元 及其 阵列 | ||
【主权项】：
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