[发明专利]具抹除抑制能力的多次编程存储单元及其存储单元阵列有效

专利信息
申请号: 201911120673.X 申请日: 2019-11-15
公开(公告)号: CN111326192B 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 陈志欣 申请(专利权)人: 力旺电子股份有限公司
主分类号: G11C16/04 分类号: G11C16/04;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/24;H01L27/11519;H01L27/11521
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 李芳华
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种多次编程存储单元,包括一浮动栅晶体管、一第一电容器、一第二电容器与一第三电容器。浮动栅晶体管具有一浮动栅极。浮动栅晶体管的一第一端耦接至一源极线。浮动栅晶体管的一第二端耦接至一位线。第一电容器的一第一端连接至浮动栅极。第一电容器的一第二端连接至一抹除线。第二电容器的一第一端连接至浮动栅极。第二电容器的一第二端连接至一控制线。第三电容器的一第一端连接至浮动栅极。第三电容器的一第二端连接至一抑制线。
搜索关键词: 抑制 能力 多次 编程 存储 单元 及其 阵列
【主权项】:
暂无信息
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