[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明实施例公开半导体装置及其制造方法。半导体装置包含设置在基底上方的鳍片、设置在鳍片的通道区上方的栅极结构使得栅极结构横过鳍片的源极/漏极区、设置在基底上方的多层互连结构的装置级层间介电层，其中装置级层间介电层包含第一介电层、设置在第一介电层上方的第二介电层以及设置在第二介电层上方的第三介电层，其中第三介电层的材料不同于第二介电层的材料和第一介电层的材料。半导体装置还包含与设置在装置级层间介电层中的至栅极结构的接触栅极以及设置在装置级层间介电层中的至源极/漏极区的源极/漏极接触。