[发明专利]一种扩散前处理方法

摘要

在半导体微电子器件的制造过程中，晶圆片的清洁的重要性已被充分认知，器件的性能、良率和微粒的沾污有很大关系。传统的晶圆扩散前处理方法，在晶圆片经过氢氟酸溶液后，表面氧化层被漂净，表面呈疏水性，如果暴露在空气中，很快将从周围环境中重新吸附颗粒和有机沾污。本发明提供了一种扩散前处理方法，通过氨水和双氧水去除晶圆片表面的金属颗粒和有机沾污。然后通过氢氟酸漂去晶圆片表面的原始氧化膜；再利用硝酸的氧化性，在漂净氧化层的晶圆片表面重新形成一层氧化层，起到表面钝化的作用，避免后续空气环境的沾污及晶圆表面的水迹产生；同时高纯氮气或惰性气体保护的干燥槽可以避免甩干带来的颗粒沾污。