[发明专利]晶体管终端结构及其制造方法在审
申请号: | 201911140881.6 | 申请日: | 2019-11-20 |
公开(公告)号: | CN111129108A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 张曌;李杰;魏国栋;田甜;刘玮 | 申请(专利权)人: | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 虞凌霄 |
地址: | 518172 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种晶体管终端结构及其制造方法,所述终端结构在平面上环状包围晶体管的有源区,所述终端结构包括衬底、衬底上的截止环和衬底上的多个分压环,各分压环设于截止环与有源区和终端结构的分界处的主结之间;其特征在于,还包括多个沟槽多晶硅场板,分布于最靠近所述主结的一分压环与所述截止环之间的衬底中,每两个相邻的分压环之间设置的沟槽多晶硅场板不超过一个。本发明通过沟槽多晶硅场板取代传统的水平多晶硅场板方案,能够在保证与传统方案有同样耐压的前提下缩小了分压环间距,从而能够缩短终端结构整体尺寸,体现了较好的终端性价比和经济性。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 终端 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳深爱半导体股份有限公司,未经深圳深爱半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911140881.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类