[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201911141019.7 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112825315B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 黄玉辉;王盼盼 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成一基底，所述基底包括衬底以及覆盖于所述衬底表面的介质层，所述介质层表面包括器件区域和标记区域，所述标记区域具有贯穿所述介质层的通孔以及填充于所述通孔内并覆盖于所述介质层表面的套刻层，所述器件区域具有覆盖于所述介质层表面的器件层；遮盖所述套刻层并图案化所述器件层，形成初始器件结构；图案化所述套刻层及所述初始器件结构，于所述标记区域形成套刻标记、并同时于所述器件区域形成器件结构，所述套刻标记的顶面与所述介质层的顶面平齐。本发明避免了套刻标记易出现过刻蚀的问题，确保了套刻标记的完整性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911141019.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：摄像头模组和电子设备
- 下一篇：联合测试工作群组传输系统
