[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201911145477.8 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN111029321A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张嘉碧;王尧;马书英;王姣;于大全 | 申请（专利权）人： | 华天科技（昆山）电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其中，所述半导体装置包括：第一基片、设置于所述第一基片上的第二基片、设置于所述第二基片上的焊盘、连接至所述焊盘上的金属线路层；所述第一基片上开设有连通至所述焊盘上的阶梯孔，所述金属线路层与焊盘之间还设置有绝缘层，所述绝缘层设置于所述阶梯孔中底部的拐角位置。本发明的半导体装置通过两部开孔的方式，形成连通焊盘的阶梯孔，该阶梯孔有利于在阶梯孔中底部的拐角位置形成较厚的绝缘层，进而对于减少焊盘压力，降低金属线路层断线风险有明显优势，可以缓解金属线路层对焊盘的拉扯应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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