[发明专利]成膜方法及成膜装置在审

专利信息
申请号: 201911146340.4 申请日: 2019-11-21
公开(公告)号: CN111218659A 公开(公告)日: 2020-06-02
发明(设计)人: 能势正章 申请(专利权)人: 柯尼卡美能达株式会社
主分类号: C23C14/46 分类号: C23C14/46;C23C14/08
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 贾成功
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的课题在于提供用于在基板上均质地形成膜厚极薄的纯物质膜或混合膜作为保护膜的、控制了成膜速度和材料比的成膜方法及成膜装置。本发明的成膜方法是在基板上通过从离子源所照射的离子束来进行溅射成膜的成膜方法,其特征在于,在上述基板与上述离子源之间配置溅射靶,对于该溅射靶的与上述基板对置的面的相反侧的面,通过离子束来进行溅射,在该基板上成膜。
搜索关键词: 方法 装置
【主权项】:
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