[发明专利]沉积膜的致密性的表征方法及电池片的制造方法在审
| 申请号： | 201911147779.9 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN110867393A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 于义超;陈斌;蒋秀林 | 申请（专利权）人： | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 徐颖聪 |
| 地址： | 225131 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及沉积膜的致密性的表征方法及电池片的制造方法，其中，表征方法包括如下步骤：步骤S1，提供测试片，测试片的正面的面积为S，且质量为M；步骤S2，在测试片上沉积沉积膜，测定沉积膜的厚度d，且沉积有沉积膜的测试片的质量M’；步骤S3，基于面积S以及厚度d，得到沉积膜的体积为V，并基于质量M以及M’，得到沉积膜的质量⊿M；步骤S4，根据沉积膜的质量⊿M与沉积膜的体积为V，得到沉积膜的密度ρ，基于密度ρ评价沉积膜的致密性。该表征方法用于评价电池片上沉积的减反射层的致密性，避免了使用化学溶液，从而保证了操作的安全，降低了电池片上沉积的减反射层的致密性的评价的成本，且大大提高了减反射层的致密性的评价的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 致密 表征 方法 电池 制造 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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