[发明专利]制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备在审
| 申请号： | 201911149718.6 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN110747446A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 卢贤政;陈麒麟;李时俊;张勇 | 申请（专利权）人： | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56;H01L31/18 |
| 代理公司： | 44247 深圳市康弘知识产权代理有限公司 | 代理人： | 林伟敏 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备，其至少包括第一镀膜腔（1）和第二镀膜腔（2）、横穿第一和第二镀膜腔的用于传输镀膜载板的传输带（3），第一和第二镀膜腔内分别设有镀膜源，当待镀膜载板依次穿过第一和第二镀膜腔时，所述镀膜源对待镀膜载板双面镀制透明导电氧化物薄膜；本发明解决了离子镀膜和溅射镀膜的缺点，有效解决镀膜粉尘对于TCO薄膜质量及产品效率的影响，尤其适合高效率薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池的正面和背面连续生产时、方向由下往上镀膜源上方薄膜积迭所积造成的粉尘而产生缺陷。且本发明的设备和方法可适用于多种具有不同性能的TCO材料及不同型式的镀膜源。 | ||
| 搜索关键词： | 镀膜腔 镀膜源 镀膜 载板 透明导电氧化物薄膜 粉尘 异质结太阳电池 产品效率 镀膜设备 溅射镀膜 离子镀膜 双面镀制 有效解决 薄膜硅 传输带 高效率 晶体硅 薄膜 横穿 背面 穿过 传输 制作 | ||
【主权项】：
1.一种制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备，其特征在于：至少包括第一镀膜腔（1）和第二镀膜腔（2）、横穿第一和第二镀膜腔的用于传输太阳能电池板的传输带（3），第一和第二镀膜腔内分别设有镀膜源，当太阳能电池板依次穿过第一和第二镀膜腔时，所述镀膜源对太阳能电池板双面镀制透明导电氧化物薄膜。/n
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