[发明专利]一种伪栅移除的方法有效
| 申请号： | 201911150254.0 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN110854023B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 林健;洪波 | 申请（专利权）人： | 海光信息技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王焕 |
| 地址： | 300450 天津市滨海新区华苑产*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种伪栅移除的方法，能够高效去除伪栅结构并且能够防止在去除伪栅过程中的残余物导致的芯片失效和低良率问题。该方法通过降低伪栅高度进而降低刻蚀槽的深宽比，从而减少由于高深宽比对刻蚀形成的残余物排出的消极影响，实现了对残余物量的抑制。对于可能的残余物，通过氧化处理刻蚀剩余的伪栅表面，从而实现分解和清除聚合物残余物的目的。此外，针对湿法刻蚀过程中的气泡阻碍刻蚀问题，我们通过引入气泡释放剂来释放湿法刻蚀伪栅表面形成的气泡，并通过对腔室的低真空处理，加速气泡的排出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 伪栅移 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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