[发明专利]成膜装置有效
申请号: | 201911161938.0 | 申请日: | 2019-11-25 |
公开(公告)号: | CN111293067B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 松本行生 | 申请(专利权)人: | 佳能特机株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H10K71/16;C23C14/04;C23C14/24;C23C14/34 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 邓宗庆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及静电吸盘、静电吸盘系统、成膜装置及方法、吸附方法以及电子器件的制造方法。可以利用静电吸盘稳定地吸附基板以及/或者掩模,并且,降低静电吸盘的电场对膜的膜质、膜厚分布的均匀性的影响。静电吸盘用于对具有多个成膜对象区域的成膜对象物进行吸附,其特征在于,所述静电吸盘具有用于对所述成膜对象物的吸附面中的包含与所述成膜对象区域对应的区域在内的区域进行吸附的第一区域、以及用于对所述成膜对象物的吸附面中的与所述多个成膜对象区域对应的区域之间的区域进行吸附的第二区域,所述静电吸盘构成为,所述第一区域中的对所述成膜对象物的每单位面积的静电引力与所述第二区域中的对所述成膜对象物的每单位面积的静电引力不同。 | ||
搜索关键词: | 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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