[发明专利]接触孔的制造方法有效
| 申请号： | 201911162973.4 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN110867409B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 董献国 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括步骤：步骤一、形成层间膜。步骤二、测量出各区域的层间膜的厚度。步骤三、根据层间膜的厚度值调整对应区域的接触孔的光刻定义线宽，以补偿层间膜的厚度对刻蚀后的接触孔的开口线宽的影响。步骤四、进行光刻工艺。步骤五、进行刻蚀工艺形成所述接触孔的开口。本发明能消除层间膜的厚度对接触孔的线宽的影响，能使各区域刻蚀后的接触孔的开口线宽满足要求值，有利于器件尺寸等比例缩小并能提高缩小后的半导体器件的电学性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
