[发明专利]光阻残留物的去除方法及逻辑器件有效
| 申请号： | 201911163038.X | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN110838437B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 刘玫诤;谢玟茜;刘立尧;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种光阻残留物的去除方法及逻辑器件，该方法包括：提供一衬底，该衬底包括第一区域和第二区域；通过光刻工艺在第二区域上涂布光阻，对第一区域进行浅掺杂SD离子注入，在第一区域形成的第一栅氧化层的两侧形成源极和漏极，浅掺杂SD离子注入的过程中光阻的表层形成有硬壳；通过干式灰化工艺对硬壳进行去除；通过湿法去除工艺对剩余的硬壳和光阻进行去除。本申请通过在对第一区域进行浅掺杂SD离子注入后，依次通过干式灰化工艺和湿法去除工艺对涂布在第二区域的光阻的表层形成的硬壳和光阻进行去除，能够较为充分的去除光阻残留物(包括硬壳，和/或，光阻)，提高了逻辑器件的制造良率。 | ||
| 搜索关键词： | 残留物 去除 方法 逻辑 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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