[发明专利]虚拟栅的平坦化方法有效
| 申请号： | 201911163068.0 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN110867377B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 胡宗福;龚昌鸿;陈建勋 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种虚拟栅的平坦化方法，包括步骤：形成由第一栅介质层和多晶硅伪栅叠加形成的虚拟栅；形成第零层层间膜；进行对第零层层间膜的研磨速率大于对多晶硅伪栅的研磨速率的第一次化学机械研磨工艺；进行对第零层层间膜的去除速率小于对多晶硅伪栅的去除速率的第二次平坦化工艺，坦化后使多晶硅伪栅的表面凹陷区域中的第零层层间膜的表面和凹陷区域外的表面相平；进行无选择性的多晶硅减薄工艺。本发明能将表面不平坦的虚拟栅的顶部表面完全打开，从而能实现将虚拟栅的完全去除并从而提高产品良率；能提高虚拟栅的高度一致性，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 虚拟 平坦 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
